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Manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1305BV25

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  • Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 - page 1

    18-Mbit Burst of 4 Pipelined SRAM with Q DR™ Architecture CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Cou rt • San Jose , CA 95134-1 709 • 408-943-2 600 Document #: 38-05630 Rev . *A Revised April 3, 2006 Features • Separate independent Read and Write data ports • Supports concurrent transactions • 167- ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 2 of 21 Selection Guide CY7C1305BV25-167 CY7C1307BV25-167 Unit Maximum Operating Freq uency 167 MHz Maximum Operating Current 400 mA 256Kx18 Array CLK A [17:0] Gen. K K Control Logic Address Register D [17:0] Read Add. Decode Read Data Reg. RPS WPS Q [17:0] Control Logic Address Register ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 3 of 21 Pin Configuration 165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm ) Pinout CY7C1305BV25 (1M x 18 ) 1 2 3 4 5 678 9 1 0 1 1 A NC GND/ 144M NC/ 36M WPS BWS 1 K NC RPS A GND/ 72M NC B NC Q9 D9 A NC K BWS 0 AN C N C Q 8 C NC NC D10 VSS A NC A VSS NC Q7 D8 D NC D1 1 Q10 VSS VSS VSS VSS VSS NC NC D7 ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 4 of 21 Pin Definitions Name I/O Description D [x:0] Input- Synchronous Data input signals, sampled on the ris ing edge of K and K clocks during valid write operations . CY7C1305BV25 – D [17:0] CY7C1307BV25 – D [35:0] WPS Input- Synchronous Write Port Select, active LOW . Sampled on t ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 5 of 21 Introduction Functional Overview The CY7C1305BV25/CY7C1307BV25 are synchro nous pipelined Burst SRAMs equipp ed with both a Read port and a Write port. The Read port is dedicated to Read operations and the Write Port is dedicated to Write operations. Data flows into the SRAM throu ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 6 of 21 When deselected, the wr ite po rt will ign ore all i npu ts after the pending Write operations have been completed . Byte Write Operations Byte Write operations are supported by th e CY7C1305BV25. A write operation is initiate d as described in the Write Operation section above . ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 7 of 21 T ruth T able [2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9] Operation K RPS WPS DQ DQ DQ DQ Write Cycle : Load address on the rising edge of K; wait one cycle; input write data on two consecutive K and K rising edges. L-H H [8] L [9] D(A+00) at K(t+1) ↑ D(A+01) at K (t+1) ↑ D(A+10) at K(t+2) ↑ D ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 8 of 21 Write Cycl e Descriptions (CY7C1307BV25) [2, 10 ] BWS 0 BWS 1 BWS 2 BWS 3 KK Comment s L L L L L-H – During the Data portion of a Write sequence, all four bytes (D [35:0] ) are written into the device. L L L L – L-H During the Data portion of a Write sequence, all four bytes ( ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 9 of 21 IEEE 1 149.1 Serial Boundary Scan (JT AG) These SRAMs incorporate a serial bo undary scan test access port (T AP) in the FBGA package. This part is fully compliant with IEEE S tandard #1 149 .1-1900. The T AP operates using JEDEC standard 2.5V I/O logi c levels. Disabling the JT A ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 10 of 21 is loaded into the instruction register upon power-up or whenever the T AP controller is given a test logic reset state. SAMPLE Z The SAMPLE Z instruction caus es the b oundary scan register to be connected between th e TDI and TDO pins when th e T AP controller is in a Shift-DR ...

  • Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 - page 11

    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 1 1 of 21 T AP Controller St ate Diagram [1 1] Note: 1 1. The 0/1 next to each state re presents the value at TMS at th e rising edge of TCK. TEST -LOGIC RESET TEST -LOGIC/ IDLE SELECT DR-SCAN CAPTURE-DR SHIFT -DR EXIT1-DR P AUSE-DR EXIT2-DR UPDA TE-DR SELECT IR-SCAN CAPTURE-IR SHIFT -IR ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 12 of 21 T AP Controller Block Diagram T AP Electrical Characteristics Over the Operating R ange [12, 15, 17] Parameter Description T est Conditions Min. Max. Unit V OH1 Output HIGH V oltage I OH = − 2.0 mA 1.7 V V OH2 Output HIGH V oltage I OH = − 100 µ A2 . 1 V V OL1 Output LOW V o ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 13 of 21 Output Times t TDOV TCK Clock LOW to TDO V alid 20 ns t TDOX TCK Clock LOW to TDO Invalid 0 ns T AP Timing and T est Conditions [1 4] Identification Register Definitions Instruction Field Va l u e Description CY7C1305BV25 CY7C1307BV25 Revision Number (31:29) 000 000 V ersion numb ...

  • Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 - page 14

    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 14 of 21 Scan Register Sizes Register Name Bit Size Instruction 3 Bypass 1 ID 32 Boundary Scan 107 Instruction Codes Instruction Code Description EXTEST 000 Captures the Inpu t/Output ring contents. IDCODE 001 Loads the ID registe r with the vendor ID code and place s the register between ...

  • Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 - page 15

    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 15 of 21 Boundary Scan Order Bit # Bum p ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID Bit # Bump ID 0 6R 27 11 H 54 7B 81 3G 1 6P 28 10G 55 6B 82 2G 2 6N 29 9G 56 6A 83 1J 3 7P 30 11 F 57 5B 84 2J 4 7N 31 11 G 58 5A 85 3K 5 7R 32 9F 59 4A 86 3J 6 8R 33 10F 60 5C 87 2K 7 8P 34 11 E 61 4B 88 1K 8 9R 35 1 ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 16 of 21 Maximum Ratings (Above which the useful life may be impaired.) S torage T e mperature .............. .................. –65°C to + 150°C Ambient T emperature with Power Applied ........... ............................ ..... – 55°C to + 125°C Supply V oltage on V DD Relati ...

  • Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 - page 17

    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 17 of 21 Cap acit ance [22] Parameter Descript ion T es t Conditions Max. Unit C IN Input Capacitance T A = 25°C, f = 1 MHz, V DD = 2.5V . V DDQ = 1.5V 5p F C CLK Clock Input Capacitance 6 pF C O Output Capacitance 7 pF AC T est Loads and W aveforms 1.25V 0.25V R = 50 Ω 5p F ALL INPUT ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 18 of 21 Switching Characteristics Over the Operating Range [23] Cypress Parameter Consortium Parameter Description 167 MHz Unit Min. Max. t Power [24] V CC (typical) to the First Access Read or Write 10 µ s Cycle Time t CYC t KHKH K Clock and C Clock Cycle T ime 6.0 ns t KH t KHKL Input ...

  • Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 - page 19

    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 19 of 21 Switching W aveforms [27, 28, 29] Notes: 27. Q00 refers to output from add ress A0. Q01 refers to output from the ne xt internal burst address following A0, i.e., A0+1. 28. Outputs are disabled (High- Z) one clock cycle after a NOP . 29. In this example, if address A2 = A1 then d ...

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    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 20 of 21 © Cypress Semi con duct or Cor po rati on , 20 06 . The information con t a in ed he re i n is su bject to change wi t hou t n oti ce. C ypr ess S em ic onduct or Corporation assumes no resp onsibility f or the u se of any circuitry o ther than circui try embodied i n a Cypress ...

  • Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 - page 21

    CY7C1307BV25 CY7C1305BV25 Document #: 38-05630 Rev . *A Page 21 of 21 Document History Page Document Title: CY7C1305BV25/CY7C1307BV25 18 -Mb it Burst of Four Pipelined SRAM with QDR™ Architecture Document Number: 38-05630 REV . ECN NO. Issue Date Orig. o f Change Description of Change ** 253049 See ECN SYT Ne w Data Sheet *A 436864 See ECN NXR Co ...

Fabricant Cypress Semiconductor Catégorie Computer Hardware

Les documents que nous recevons du fabricant de l'appareilCypress Semiconductor CY7C1305BV25 peuvent être divisés en plusieurs groupes. Ceux-ci sont, entre autres:
- dessins techniques Cypress Semiconductor
- manuels d’utilisations CY7C1305BV25
- fiches produit Cypress Semiconductor
- dépliants
- ou étiquettes-énergie Cypress Semiconductor CY7C1305BV25
Tous sont importants, mais les informations les plus importantes du point de vue de l'utilisation de l'appareil se trouvent dans le manuel d’utilisation Cypress Semiconductor CY7C1305BV25.

Un groupe de documents appelé manuels d’utilisation est également divisé en types plus spécifiques, tels que: Manuels d’installation Cypress Semiconductor CY7C1305BV25, manuels d’entretien, brefs manuels ou manuels de l’utilisateur Cypress Semiconductor CY7C1305BV25. Selon vos besoins, vous devriez chercher le document dont vous avez besoin. Sur notre site, vous pouvez voir le manuel le plus populaire d’utilisation du produit Cypress Semiconductor CY7C1305BV25.

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Manuel d’utilisation complet de l’appareil Cypress Semiconductor CY7C1305BV25, quelle devrait-elle être?
Le manuel d’utilisation, également appelé le mode d’emploi, ou tout simplement le manuel, est un document technique destiné à aider à utiliser Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 par les utilisateurs. Des manuels sont généralement écrits par un rédacteur technique, mais dans un langage accessible à tous les utilisateurs Cypress Semiconductor CY7C1305BV25.

Le manuel d’utilisation complet Cypress Semiconductor, devrait inclure plusieurs éléments de base. Certains d'entre eux sont moins importants, tels que: la couverture / page de titre ou pages d'auteur. Cependant, la partie restante, devrait nous fournir des informations importantes du point de vue de l'utilisateur.

1. Introduction et des conseils sur la façon d'utiliser le manuel Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 - Au début de chaque manuel, nous devrions trouver des indices sur la façon d'utiliser le document. Il doit contenir des informations sur l'emplacement de la table des matières Cypress Semiconductor CY7C1305BV25, FAQ ou des problèmes les plus fréquents - les points qui sont les plus souvent recherchés par les utilisateurs de chaque manuel
2. Table des matières - index de tous les conseils pour lCypress Semiconductor CY7C1305BV25 qui peuvent être trouvés dans le document courant
3. Conseils sur la façon d'utiliser les fonctions de base de l’appareil Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 - qui devraient nous aider dans les premières étapes lors de l'utilisation Cypress Semiconductor CY7C1305BV25
4. Troubleshooting - séquence systématique des activités qui nous aideront à diagnostiquer et ensuite résoudre les principaux problèmes de Cypress Semiconductor CY7C1305BV25
5. FAQ - questions fréquemment posées
6. Détails du contact Informations sur l'endroit où chercher le contact avec le fabricant / service Cypress Semiconductor CY7C1305BV25 dans un pays donné, si le problème ne peut être résolu par nous-mêmes.

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