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Cypress nvSRAMの取扱説明書

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  • Cypress nvSRAM - page 1

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N 2 Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-45754 Rev . *B Revised November 10, 2008 Features ■ 20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times ■ Internally organized as 256K x 8 (CY14B102L) or 128K x 16 (CY14B102 ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 2 of 24 Pinout s Figure 1. Pin Diagram - 48 FBG A Figure 2. Pin Diag ram - 44 Pin TSOP II 48-FBGA (not to scale) Top View (x8) 48-FBGA (not to scale) Top View (x16) WE V CC A 11 A 10 V CAP A 6 A 0 A 3 CE NC NC DQ0 A 4 A 5 NC DQ2 DQ3 NC V SS A 9 A 8 OE V SS A 7 NC NC NC A 17 A 2 A ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 3 of 24 Figure 3. Pin Diagram - 54 Pi n TSOP II (x16) Pin Definitions Pin Name IO T ype Description A 0 – A 17 Input Address Inputs Used to Select one of the 262,144 bytes of the nvSRAM for x8 Co nfiguration . A 0 – A 16 Address Inputs Used to Select one of the 131,072 words o ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 4 of 24 Device Operation The CY14B102L/CY1 4B102N nvSRAM is made up of two functional components paired in the same physical cell. They are an SRAM memory cell and a nonvola tile QuantumTrap cell. The SRAM memory cell operates as a standard fast static RAM. Data in the SRAM is tra ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 5 of 24 completion of the STORE operation, the CY14B102L/CY14B102N remains disab led until the HSB pin returns HIGH. Lea ve the HSB unconnected if it is not used. Hardware RECALL (Power Up) During power up or after any low power condition (V CC <V SWITCH ), an internal RECALL r ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 6 of 24 Preventing AutoStore The AutoS t ore function is disabled by initiating an AutoS tore disable sequence. A sequence of read ope rations is performed in a manner similar to the software STORE initiation. T o initiate the AutoS tore disa ble sequence, the followi ng sequence ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 7 of 24 Maximum Ratin gs Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guid elines are not tested. S torage T emperature .......... ....................... –65 ° C to +150 ° C Maximum Accumulated Storage T ime ............At 150 ° C Ambient T ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 8 of 24 AC T est Conditions Input Pulse Levels ......... ............... .............. .............. 0V to 3V Input Rise and Fall T imes (10% - 90%)...... .............. .... < 3 ns Input and Output T iming Reference Levels . ............... .... 1.5V Dat a Retention and Endu ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 9 of 24 AC Switching Characteristics Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Cypress Parameters Alt Parameters Min Max Min Ma x Min Max SRAM Read Cycle t ACE t ACS Chip Enable Access Time 20 25 45 ns t RC [15] t RC Read Cycle T ime 20 25 45 ns t AA [16] t AA Address Access T ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 10 of 24 Figure 7. SRAM Read Cycl e #2: CE and OE Controlled [3, 15, 19] Figure 8. SRAM Write Cycle #1: WE Controlled [3, 18, 19, 20] $GGUHVV9D OLG $G GUH VV 'DWD2XWSXW 2XWS XW 'DWD9D OL G 6W DQGE $FWL YH +L JK ,P S HG DQ FH &( 2( %+(%/ ( , &am ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 1 1 of 24 Figure 9. SRAM Write Cycle #2: CE Controlled [3 , 18, 19, 20] Figure 10. SRAM Write Cycle #3: BHE and BLE Controlled [3, 18, 19, 20] 'D WD  2XW SX W 'DWD,QSXW ,QSXW 'D WD9DO LG +L JK ,P SH G DQ FH $GGUHVV9 DOLG $GGUHV V W :& W 6' ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 12 of 24 AutoStore/Power Up RECALL Parameters Descrip tion 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t HRECALL [21] Power Up RECALL Duration 20 20 20 ms t STORE [22] ST ORE Cycle Duration 8 8 8 m s t DELA Y [23] Time Allowed to Complete SRAM Cycle 20 25 25 ns V SWITCH Low V o ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 13 of 24 Sof tware Controlled STORE/RECALL Cycle In the following table, the so ftware c o ntrolled STORE/RECALL cycle p arameters are listed. [26, 27] Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t RC STORE/RECALL Initiation Cycle T ime 20 25 45 ns t SA A ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 14 of 24 Hardware STORE Cycle Parameters Descrip tion 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t DHSB HSB T o Outp ut Active Time when write latch not set 20 25 25 ns t PHSB Hardware STORE Pulse Wid t h 15 15 15 ns t SS [28, 29] Soft Sequence Proc essing T ime 100 1 00 100 ? ...

  • Cypress nvSRAM - page 15

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 15 of 24 T ruth T able For SRAM Operations HSB should remain HIGH for SRAM Operations. For x8 Configuration CE WE OE Inputs/Outputs [2 ] Mode Power H X X High Z Deselect/Power down S tandby L H L Data Out (DQ 0 –DQ 7 ); Read Active L H H High Z Output Disabled Active L L X Data ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 16 of 24 Ordering Information Speed (ns) Ordering Code Package Diagram Package T yp e Operating Range 20 CY14B102L-ZS20XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS20XIT 51-85087 44-pin TSOP II Industrial CY14B102L-ZS20XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B102L-ZS20XA T 51-85087 4 ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 17 of 24 25 CY14B102L-ZS25XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS25XIT 51-85087 44-p in TSOP II Industrial CY14B102L-ZS25XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B102L-ZS25XA T 51-85087 44-p in TSOP II Automotive CY14B102N-BA25XCT 51-85128 48-ball FBGA Commercial CY14B102L-BA25X ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 18 of 24 45 CY14B102L-ZS45XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B102L-ZS45XIT 51-85087 44-p in TSOP II Industrial CY14B102L-ZS45XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B102L-ZS45XA T 51-85087 44-p in TSOP II Automotive CY14B102L-BA45XCT 51-85128 48-b all FBGA Commercial CY14B102L-BA45 ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 19 of 24 Part Numbering Nomenclature Option: T - T ape & Reel Blank - S td. S peed: 20 - 20ns 45 - 45 ns Data Bus : L - x8 N - x16 Density: 102 - 2 Mb V oltage: B - 3.0V Cypress CY 14 B 102 L - ZS P 20 X C T NVSRAM 14 - Auto Store + Software Store + Hardware Store T em perat u ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 20 of 24 Package Diagrams Figure 16. 44-Pin TSOP II (51-85087) MAX MIN. DIMENSION IN MM (INCH) 11.938 (0.470) PLANE SEATING PIN 1 I.D. 44 1 18.517 (0.729) 0.800 BSC 0° -5° 0.400(0.016) 0.300 (0.012) EJECTOR PIN R G O K E A X S 11.735 (0.462) 10.058 (0.396) 10.262 (0.404) 1.194 ( ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 21 of 24 Figure 17. 48 -Ball FBGA - 6 mm x 10 m m x 1.2 mm (51 -85128) Package Diagrams (continued) A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.20 MAX C SEATING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C A1 CORNER TOP VIEW BOTTOM VIEW 2 3 4 3. ...

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    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 22 of 24 Figure 18. 54-Pin TSOP II (51-85160) Package Diagrams (continued) 51-85160 -** [+] Feedback ...

  • Cypress nvSRAM - page 23

    PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N Document #: 001-45754 Rev . *B Page 23 of 24 Document History Page Document Title: CY14B102L/CY14B102N 2 Mbit (256K x 8/128K x 16) nvSRAM Document Number: 001-45754 Rev . ECN No. Submission Date Orig. of Change Description of Change ** 2470086 GVCH New Data Sheet *A 2522209 GVCH/AESA 06/27/2008 Added Automo tive tem ...

  • Cypress nvSRAM - page 24

    Document #: 001-45754 Rev . *B Revised November 10, 2008 Page 24 of 24 AutoS tore and QuantumT rap are registe red trademarks of Simtek Co rporation. All product s and company name s mentioned in this doc ument are the tr ademarks of thei r respective hol ders. PRELIMINARY CY14B102L, CY14B102N © Cypress Semiconducto r Corporatio n, 2008. The infor ...

メーカー Cypress カテゴリー Computer Hardware

Cypress nvSRAMのメーカーから受け取ることができるドキュメントは、いくつかのグループに分けられます。その一部は次の通りです:
- #BRANDの図面#
- nvSRAMの取扱説明書
- Cypressの製品カード
- パンフレット
- またはCypress nvSRAMの消費電力シール
それらは全部重要ですが、デバイス使用の観点から最も重要な情報は、Cypress nvSRAMの取扱説明書に含まれています。

取扱説明書と呼ばれる文書のグループは、Cypress nvSRAMの取り付け説明書、サービスマニュアル、簡易説明書、またはCypress nvSRAMのユーザーマニュアル等、より具体的なカテゴリーに分類されます。ご必要に応じてドキュメントを検索しましょう。私たちのウェブサイトでは、Cypress nvSRAMの製品を使用するにあたって最も人気のある説明書を閲覧できます。

関連する取扱説明書

Cypress nvSRAMデバイスの取扱説明書はどのようなものですか？
取扱説明書は、ユーザーマニュアル又は単に「マニュアル」とも呼ばれ、ユーザーがCypress nvSRAMを使用するのを助ける技術的文書のことです。説明書は通常、全てのCypress nvSRAMユーザーが容易に理解できる文章にて書かれており、その作成者はその分野の専門家です。

Cypressの取扱説明書には、基本的な要素が記載されているはずです。その一部は、カバー/タイトルページ、著作権ページ等、比較的重要度の低いものです。ですが、その他の部分には、ユーザーにとって重要な情報が記載されているはずです。

1. Cypress nvSRAMの説明書の概要と使用方法。説明書にはまず、その閲覧方法に関する手引きが書かれているはずです。そこにははCypress nvSRAMの目次に関する情報やよくある質問、最も一般的な問題に関する情報を見つけられるはずです。つまり、それらはユーザーが取扱説明書に最も期待する情報なのです。
2. 目次。Cypress nvSRAMに関してこのドキュメントで見つけることができる全てのヒントの目次
3. Cypress nvSRAMデバイスの基本機能を使うにあたってのヒント。 Cypress nvSRAMのユーザーが使い始めるのを助けてくれるはずです。
4. トラブルシューティング。Cypress nvSRAMに関する最も重要な問題を診断し、解決するために役立つ体系化された手続き
5. FAQ。よくある質問
6. 連絡先。一人では問題を解決できない場合に、その国におけるCypress nvSRAMのメーカー/サービスへの連絡先に関する情報。

Cypress nvSRAMについてご質問がありますか？

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