Manuel d’utilisation Cypress CY14B104L

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    CY14B104L, CY14B104N 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-07102 Rev . *L Revised December 19, 2008 Features ■ 20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times ■ Internally organized as 512K x 8 (CY14B104L) or 256K x 16 (CY14B104N) ■ Hands ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 2 of 25 Pinout s Figure 1. Pin Diagram - 48 FBG A Figure 2. Pin Diag ram - 44 Pin TSOP II WE V CC A 11 A 10 V CAP A 6 A 0 A 3 CE NC NC DQ 0 A 4 A 5 NC DQ 2 DQ 3 NC V SS A 9 A 8 OE V SS A 7 NC NC NC A 17 A 2 A 1 NC V CC DQ 4 NC DQ 5 DQ 6 NC DQ 7 NC A 15 A 14 A 13 A 12 HSB 3 2 6 5 4 1 D E B A C ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 3 of 25 Figure 3. Pin Diagram - 54 Pi n TSOP II (x16) Pin Definitions Pin Name IO T ype Description A 0 – A 18 Input Address Inputs Used to Select one of the 524,288 bytes of the nvSRAM for x8 Co nfiguration . A 0 – A 17 Address Inputs Used to Select one of the 262,144 words of the n vSRA ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 4 of 25 Device Operation The CY14B104L/CY1 4B104N nvSRAM is made up of two functional components paired in the same physical cell. They are an SRAM memory cell and a nonvola tile QuantumTrap cell. The SRAM memory cell operates as a standard fast static RAM. Data in the SRAM is transferred to ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 5 of 25 Hardware RECALL (Power Up) During power up or after any low power condition (V CC <V SWITCH ), an internal RECALL re quest is latched. When V CC again exceeds the sense voltage of V SWITCH , a RECALL cycle is automatically initiated and takes t HRECALL to complete. During this time ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 6 of 25 Preventing AutoStore The AutoS t ore function is disabled by initiating an AutoS tore disable sequence. A sequence of read ope rations is performed in a manner similar to the software STORE initiation. T o initiate the AutoS tore disa ble sequence, the following sequence o f CE contro ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 7 of 25 Maximum Ratin gs Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guid elines are not tested. S torage T emperature ................ ................. –65 ° C to +150 ° C Maximum Accumulated Storage T ime At 150 ° C Ambient T emperature ............. ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 8 of 25 AC T est Conditions Input Pulse Levels .... ............................ .................... 0V to 3V Input Rise and Fall T imes (10% - 90%).................... .... < 3 ns Input and Output T iming Reference Levels . ................... 1.5V Dat a Retention and Endurance Parameter ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 9 of 25 AC Switching Characteristics Parameters Descr iption 20 ns 25 ns 45 ns Unit Cypress Parameters Alt Parameters Min Max Min Ma x Min Max SRAM Read Cycle t ACE t ACS Chip Enable Access Time 20 25 45 ns t RC [14] t RC Read Cycle T ime 20 25 45 ns t AA [15] t AA Address Access T ime 20 25 ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 10 of 25 Figure 7. SRAM Rea d Cycle #2: CE and OE Controlle d [3, 14, 18] Figure 8. SRAM Write Cycle #1: WE Controlled [3, 17, 18, 19] $GGUHVV9D OLG $G GUH VV 'DWD2XWSXW 2XWS XW 'DWD9D OL G 6WDQG E $FWLYH +L JK ,P S HG DQFH &( 2( %+(%/ ( , && W +=&a ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 1 1 of 25 Figure 9. SRAM Write Cycle #2: CE Controlled [3 , 17, 18, 19] Figure 10. SRAM Write Cycle #3: BHE and BLE Controlled [3, 17, 18, 19] D ata Ou tput Da ta Inpu t In put D ata Va li d High Impedance Ad d res s Va lid Ad dre ss t WC t SD t HD BHE , BLE WE CE t SA t SCE t HA t BW t PWE & ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 12 of 25 AutoStore/Power Up RECALL Parameters Description CY14B104L/CY14B1 04N Unit Min Max t HRECALL [20] Power Up RECALL Duration 20 ms t STORE [21] ST ORE Cycle Duration 8 ms t DELA Y [22] Time Allowed to Complete SRAM Cycle 1 70 μ s V SWITCH Low V oltage Trigger Level 2.65 V t VCCRISE VC ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 13 of 25 Sof tware Controlled STORE/RECALL Cycle In the following table, the so ftware c o ntrolled STORE/RECALL cycle p arameters are listed. [25, 26] Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t RC STORE/RECALL Initiation Cycle T ime 20 25 45 ns t SA Address Setup ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 14 of 25 Hardware STORE Cycle Parameters Description CY14 B104L/CY14B104N Unit Min Max t PHSB Hardware ST ORE Pulse Width 15 ns t HLBL Hardware ST ORE LOW to STORE Busy 500 ns Switching W aveforms Figure 14. Hardware STORE Cycle [21] Figure 15. Soft Sequence Processi ng [27, 28] W 3+6% W 3+6 ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 15 of 25 T ruth T able For SRAM Operations HSB should remain HIGH for SRAM Operations. For x8 Configuration CE WE OE Inputs/Outputs [2 ] Mode Power H X X High Z Deselect/Power down S tandby L H L Data Out (DQ 0 –DQ 7 ); Read Active L H H High Z Output Disabled Active L L X Data in (DQ 0 – ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 16 of 25 Ordering Information Speed (ns) Ordering Code Package Diagram Package T ype Operating Range 20 CY14B104L-ZS20XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B104L-ZS20XIT 51-85087 44-pin TSOP II Industrial CY14B104L-ZS20XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B104L-BA20XCT 51-85128 48-ball FBGA Co ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 17 of 25 45 CY14B104L-ZS45XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B104L-ZS45XIT 51-85087 44-pin TSOP II Industrial CY14B104L-ZS45XI 51-85087 44-p in TSOP II CY14B104L-BA45XCT 51-85128 48-ball FBGA Commercial CY14B104L-BA45XIT 51-85128 48-b all FBGA Industrial CY14B104L-BA45XI 51-85128 48-b ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 18 of 25 Part Numbering Nomenclature Option: T - T ape & Reel Blank - S td. S peed: 20 - 20 ns 25 - 25 ns Data Bus: L - x8 N - x16 Density: 104 - 4 Mb V oltage: B - 3.0V Cypress CY 14 B 104 L - ZS P 20 X C T NVSRAM 14 - Auto Store + Software Store + Hardware Store T emperature: C - Commer ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 19 of 25 Package Diagrams Figure 16. 44-Pin TSOP II (51-85087) MAX MIN. DIMENSION IN MM (INCH) 11.938 (0.470) PLANE SEATING PIN 1 I.D. 44 1 18.517 (0.729) 0.800 BSC 0° -5° 0.400(0.016) 0.300 (0.012) EJECTOR PIN R G O K E A X S 11.735 (0.462) 10.058 (0.396) 10.262 (0.404) 1.194 (0.047) 0.991 ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 20 of 25 Figure 17. 48 -Ball FBGA - 6 mm x 10 m m x 1.2 mm (51 -85128) Package Diagrams (continued) A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.20 MAX C SEATING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C A1 CORNER TOP VIEW BOTTOM VIEW 2 3 4 3.75 5.25 B C ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 21 of 25 Figure 18. 54-Pin TSOP II (51-85160) Package Diagrams (continued) 51-85160 -** [+] Feedback ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 22 of 25 Document History Page Document Title: CY14B104L/CY14B104N 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Document Number: 001-07102 Rev . ECN No. Submission Date Orig. of Change Description of Cha nge ** 431039 See ECN TUP New Data Sheet *A 489096 See ECN TUP Removed 48 SSOP Package Added 48 FBG ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 23 of 25 *F 1889928 See ECN vsutmp8/AE- SA Added Footnotes 1, 2 and 3. Updated logi c block diagram Added 48-FBGA (X8) Pin Dia gram Changed 8Mb Address expansion Pin from Pin 43 to Pin 42 for 44-TSOP II (x8). Updated pin definitions table. Corrected typo in V IL min spec Changed the value of ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 24 of 25 *J 2600941 1 1/04/08 GVCH/PYRS Removed 15 n s access speed Updated Logi c block diagra m Updated footnote 1 Added footnote 2 and 5 Pin definition: Updated WE , HSB and NC pin description Page 4:Updated SRAM READ, SRAM WRIT E, Autostore op eration description Page 4:Updated Hardware s ...

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    Document #: 001-07102 Rev . *L Revised December 19, 2008 Page 25 of 25 AutoS tore and QuantumT rap are registered tradem arks of Cypress Semico nductor Corpora tion. All product s and company names mentio ned in this document are th e trad emarks of the ir resp ectiv e holders. CY14B104L, CY14B104N © Cypress Semicondu ctor Corpor ation, 2006-2008. ...

Fabricant Cypress Catégorie Computer Hardware

Les documents que nous recevons du fabricant de l'appareilCypress CY14B104L peuvent être divisés en plusieurs groupes. Ceux-ci sont, entre autres:
- dessins techniques Cypress
- manuels d’utilisations CY14B104L
- fiches produit Cypress
- dépliants
- ou étiquettes-énergie Cypress CY14B104L
Tous sont importants, mais les informations les plus importantes du point de vue de l'utilisation de l'appareil se trouvent dans le manuel d’utilisation Cypress CY14B104L.

Un groupe de documents appelé manuels d’utilisation est également divisé en types plus spécifiques, tels que: Manuels d’installation Cypress CY14B104L, manuels d’entretien, brefs manuels ou manuels de l’utilisateur Cypress CY14B104L. Selon vos besoins, vous devriez chercher le document dont vous avez besoin. Sur notre site, vous pouvez voir le manuel le plus populaire d’utilisation du produit Cypress CY14B104L.

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Manuel d’utilisation complet de l’appareil Cypress CY14B104L, quelle devrait-elle être?
Le manuel d’utilisation, également appelé le mode d’emploi, ou tout simplement le manuel, est un document technique destiné à aider à utiliser Cypress CY14B104L par les utilisateurs. Des manuels sont généralement écrits par un rédacteur technique, mais dans un langage accessible à tous les utilisateurs Cypress CY14B104L.

Le manuel d’utilisation complet Cypress, devrait inclure plusieurs éléments de base. Certains d'entre eux sont moins importants, tels que: la couverture / page de titre ou pages d'auteur. Cependant, la partie restante, devrait nous fournir des informations importantes du point de vue de l'utilisateur.

1. Introduction et des conseils sur la façon d'utiliser le manuel Cypress CY14B104L - Au début de chaque manuel, nous devrions trouver des indices sur la façon d'utiliser le document. Il doit contenir des informations sur l'emplacement de la table des matières Cypress CY14B104L, FAQ ou des problèmes les plus fréquents - les points qui sont les plus souvent recherchés par les utilisateurs de chaque manuel
2. Table des matières - index de tous les conseils pour lCypress CY14B104L qui peuvent être trouvés dans le document courant
3. Conseils sur la façon d'utiliser les fonctions de base de l’appareil Cypress CY14B104L - qui devraient nous aider dans les premières étapes lors de l'utilisation Cypress CY14B104L
4. Troubleshooting - séquence systématique des activités qui nous aideront à diagnostiquer et ensuite résoudre les principaux problèmes de Cypress CY14B104L
5. FAQ - questions fréquemment posées
6. Détails du contact Informations sur l'endroit où chercher le contact avec le fabricant / service Cypress CY14B104L dans un pays donné, si le problème ne peut être résolu par nous-mêmes.

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