Cypress CY14B104Lの取扱説明書

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    CY14B104L, CY14B104N 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Cypress Semiconductor Corpora tion • 198 Champion Court • San Jose , CA 95134-1709 • 408-943-2600 Document #: 001-07102 Rev . *L Revised December 19, 2008 Features ■ 20 ns, 25 ns, and 45 ns Access Times ■ Internally organized as 512K x 8 (CY14B104L) or 256K x 16 (CY14B104N) ■ Hands ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 2 of 25 Pinout s Figure 1. Pin Diagram - 48 FBG A Figure 2. Pin Diag ram - 44 Pin TSOP II WE V CC A 11 A 10 V CAP A 6 A 0 A 3 CE NC NC DQ 0 A 4 A 5 NC DQ 2 DQ 3 NC V SS A 9 A 8 OE V SS A 7 NC NC NC A 17 A 2 A 1 NC V CC DQ 4 NC DQ 5 DQ 6 NC DQ 7 NC A 15 A 14 A 13 A 12 HSB 3 2 6 5 4 1 D E B A C ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 3 of 25 Figure 3. Pin Diagram - 54 Pi n TSOP II (x16) Pin Definitions Pin Name IO T ype Description A 0 – A 18 Input Address Inputs Used to Select one of the 524,288 bytes of the nvSRAM for x8 Co nfiguration . A 0 – A 17 Address Inputs Used to Select one of the 262,144 words of the n vSRA ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 4 of 25 Device Operation The CY14B104L/CY1 4B104N nvSRAM is made up of two functional components paired in the same physical cell. They are an SRAM memory cell and a nonvola tile QuantumTrap cell. The SRAM memory cell operates as a standard fast static RAM. Data in the SRAM is transferred to ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 5 of 25 Hardware RECALL (Power Up) During power up or after any low power condition (V CC <V SWITCH ), an internal RECALL re quest is latched. When V CC again exceeds the sense voltage of V SWITCH , a RECALL cycle is automatically initiated and takes t HRECALL to complete. During this time ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 6 of 25 Preventing AutoStore The AutoS t ore function is disabled by initiating an AutoS tore disable sequence. A sequence of read ope rations is performed in a manner similar to the software STORE initiation. T o initiate the AutoS tore disa ble sequence, the following sequence o f CE contro ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 7 of 25 Maximum Ratin gs Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the device. These user guid elines are not tested. S torage T emperature ................ ................. –65 ° C to +150 ° C Maximum Accumulated Storage T ime At 150 ° C Ambient T emperature ............. ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 8 of 25 AC T est Conditions Input Pulse Levels .... ............................ .................... 0V to 3V Input Rise and Fall T imes (10% - 90%).................... .... < 3 ns Input and Output T iming Reference Levels . ................... 1.5V Dat a Retention and Endurance Parameter ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 9 of 25 AC Switching Characteristics Parameters Descr iption 20 ns 25 ns 45 ns Unit Cypress Parameters Alt Parameters Min Max Min Ma x Min Max SRAM Read Cycle t ACE t ACS Chip Enable Access Time 20 25 45 ns t RC [14] t RC Read Cycle T ime 20 25 45 ns t AA [15] t AA Address Access T ime 20 25 ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 10 of 25 Figure 7. SRAM Rea d Cycle #2: CE and OE Controlle d [3, 14, 18] Figure 8. SRAM Write Cycle #1: WE Controlled [3, 17, 18, 19] $GGUHVV9D OLG $G GUH VV 'DWD2XWSXW 2XWS XW 'DWD9D OL G 6WDQG E $FWLYH +L JK ,P S HG DQFH &( 2( %+(%/ ( , && W +=&a ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 1 1 of 25 Figure 9. SRAM Write Cycle #2: CE Controlled [3 , 17, 18, 19] Figure 10. SRAM Write Cycle #3: BHE and BLE Controlled [3, 17, 18, 19] D ata Ou tput Da ta Inpu t In put D ata Va li d High Impedance Ad d res s Va lid Ad dre ss t WC t SD t HD BHE , BLE WE CE t SA t SCE t HA t BW t PWE & ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 12 of 25 AutoStore/Power Up RECALL Parameters Description CY14B104L/CY14B1 04N Unit Min Max t HRECALL [20] Power Up RECALL Duration 20 ms t STORE [21] ST ORE Cycle Duration 8 ms t DELA Y [22] Time Allowed to Complete SRAM Cycle 1 70 μ s V SWITCH Low V oltage Trigger Level 2.65 V t VCCRISE VC ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 13 of 25 Sof tware Controlled STORE/RECALL Cycle In the following table, the so ftware c o ntrolled STORE/RECALL cycle p arameters are listed. [25, 26] Parameters Description 20 ns 25 ns 45 ns Unit Min Max Min Max Min Max t RC STORE/RECALL Initiation Cycle T ime 20 25 45 ns t SA Address Setup ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 14 of 25 Hardware STORE Cycle Parameters Description CY14 B104L/CY14B104N Unit Min Max t PHSB Hardware ST ORE Pulse Width 15 ns t HLBL Hardware ST ORE LOW to STORE Busy 500 ns Switching W aveforms Figure 14. Hardware STORE Cycle [21] Figure 15. Soft Sequence Processi ng [27, 28] W 3+6% W 3+6 ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 15 of 25 T ruth T able For SRAM Operations HSB should remain HIGH for SRAM Operations. For x8 Configuration CE WE OE Inputs/Outputs [2 ] Mode Power H X X High Z Deselect/Power down S tandby L H L Data Out (DQ 0 –DQ 7 ); Read Active L H H High Z Output Disabled Active L L X Data in (DQ 0 – ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 16 of 25 Ordering Information Speed (ns) Ordering Code Package Diagram Package T ype Operating Range 20 CY14B104L-ZS20XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B104L-ZS20XIT 51-85087 44-pin TSOP II Industrial CY14B104L-ZS20XI 51-85087 44-pin TSOP II CY14B104L-BA20XCT 51-85128 48-ball FBGA Co ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 17 of 25 45 CY14B104L-ZS45XCT 51-85087 44-pin TSOP II Commercial CY14B104L-ZS45XIT 51-85087 44-pin TSOP II Industrial CY14B104L-ZS45XI 51-85087 44-p in TSOP II CY14B104L-BA45XCT 51-85128 48-ball FBGA Commercial CY14B104L-BA45XIT 51-85128 48-b all FBGA Industrial CY14B104L-BA45XI 51-85128 48-b ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 18 of 25 Part Numbering Nomenclature Option: T - T ape & Reel Blank - S td. S peed: 20 - 20 ns 25 - 25 ns Data Bus: L - x8 N - x16 Density: 104 - 4 Mb V oltage: B - 3.0V Cypress CY 14 B 104 L - ZS P 20 X C T NVSRAM 14 - Auto Store + Software Store + Hardware Store T emperature: C - Commer ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 19 of 25 Package Diagrams Figure 16. 44-Pin TSOP II (51-85087) MAX MIN. DIMENSION IN MM (INCH) 11.938 (0.470) PLANE SEATING PIN 1 I.D. 44 1 18.517 (0.729) 0.800 BSC 0° -5° 0.400(0.016) 0.300 (0.012) EJECTOR PIN R G O K E A X S 11.735 (0.462) 10.058 (0.396) 10.262 (0.404) 1.194 (0.047) 0.991 ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 20 of 25 Figure 17. 48 -Ball FBGA - 6 mm x 10 m m x 1.2 mm (51 -85128) Package Diagrams (continued) A 1 A1 CORNER 0.75 0.75 Ø0.30±0.05(48X) Ø0.25 M C A B Ø0.05 M C B A 0.15(4X) 0.21±0.05 1.20 MAX C SEATING PLANE 0.53±0.05 0.25 C 0.15 C A1 CORNER TOP VIEW BOTTOM VIEW 2 3 4 3.75 5.25 B C ...

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    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 21 of 25 Figure 18. 54-Pin TSOP II (51-85160) Package Diagrams (continued) 51-85160 -** [+] Feedback ...

  • Cypress CY14B104L - page 22

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 22 of 25 Document History Page Document Title: CY14B104L/CY14B104N 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM Document Number: 001-07102 Rev . ECN No. Submission Date Orig. of Change Description of Cha nge ** 431039 See ECN TUP New Data Sheet *A 489096 See ECN TUP Removed 48 SSOP Package Added 48 FBG ...

  • Cypress CY14B104L - page 23

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 23 of 25 *F 1889928 See ECN vsutmp8/AE- SA Added Footnotes 1, 2 and 3. Updated logi c block diagram Added 48-FBGA (X8) Pin Dia gram Changed 8Mb Address expansion Pin from Pin 43 to Pin 42 for 44-TSOP II (x8). Updated pin definitions table. Corrected typo in V IL min spec Changed the value of ...

  • Cypress CY14B104L - page 24

    CY14B104L, CY14B104N Document #: 001-07102 Rev . *L Page 24 of 25 *J 2600941 1 1/04/08 GVCH/PYRS Removed 15 n s access speed Updated Logi c block diagra m Updated footnote 1 Added footnote 2 and 5 Pin definition: Updated WE , HSB and NC pin description Page 4:Updated SRAM READ, SRAM WRIT E, Autostore op eration description Page 4:Updated Hardware s ...

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    Document #: 001-07102 Rev . *L Revised December 19, 2008 Page 25 of 25 AutoS tore and QuantumT rap are registered tradem arks of Cypress Semico nductor Corpora tion. All product s and company names mentio ned in this document are th e trad emarks of the ir resp ectiv e holders. CY14B104L, CY14B104N © Cypress Semicondu ctor Corpor ation, 2006-2008. ...

メーカー Cypress カテゴリー Computer Hardware

Cypress CY14B104Lのメーカーから受け取ることができるドキュメントは、いくつかのグループに分けられます。その一部は次の通りです:
- #BRANDの図面#
- CY14B104Lの取扱説明書
- Cypressの製品カード
- パンフレット
- またはCypress CY14B104Lの消費電力シール
それらは全部重要ですが、デバイス使用の観点から最も重要な情報は、Cypress CY14B104Lの取扱説明書に含まれています。

取扱説明書と呼ばれる文書のグループは、Cypress CY14B104Lの取り付け説明書、サービスマニュアル、簡易説明書、またはCypress CY14B104Lのユーザーマニュアル等、より具体的なカテゴリーに分類されます。ご必要に応じてドキュメントを検索しましょう。私たちのウェブサイトでは、Cypress CY14B104Lの製品を使用するにあたって最も人気のある説明書を閲覧できます。

関連する取扱説明書

Cypress CY14B104Lデバイスの取扱説明書はどのようなものですか?
取扱説明書は、ユーザーマニュアル又は単に「マニュアル」とも呼ばれ、ユーザーがCypress CY14B104Lを使用するのを助ける技術的文書のことです。説明書は通常、全てのCypress CY14B104Lユーザーが容易に理解できる文章にて書かれており、その作成者はその分野の専門家です。

Cypressの取扱説明書には、基本的な要素が記載されているはずです。その一部は、カバー/タイトルページ、著作権ページ等、比較的重要度の低いものです。ですが、その他の部分には、ユーザーにとって重要な情報が記載されているはずです。

1. Cypress CY14B104Lの説明書の概要と使用方法。説明書にはまず、その閲覧方法に関する手引きが書かれているはずです。そこにははCypress CY14B104Lの目次に関する情報やよくある質問、最も一般的な問題に関する情報を見つけられるはずです。つまり、それらはユーザーが取扱説明書に最も期待する情報なのです。
2. 目次。Cypress CY14B104Lに関してこのドキュメントで見つけることができる全てのヒントの目次
3. Cypress CY14B104Lデバイスの基本機能を使うにあたってのヒント。 Cypress CY14B104Lのユーザーが使い始めるのを助けてくれるはずです。
4. トラブルシューティング。Cypress CY14B104Lに関する最も重要な問題を診断し、解決するために役立つ体系化された手続き
5. FAQ。よくある質問
6. 連絡先。一人では問題を解決できない場合に、その国におけるCypress CY14B104Lのメーカー/サービスへの連絡先に関する情報。

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